SI3475DV-T1-E3

Name: SI3475DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.61Ohm @ 900mA, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 50 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	950mA (Tc)
最大功耗	2W (Ta), 3.2W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)