SI3443BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.7A, 4.5V
基础料号SI3443
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
最大功耗1.1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)