SI3424DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3424DV-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.7A, 10V
基础料号SI3424
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP