SI3127DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3127DV-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs89mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds833 pF @ 20 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta), 13A (Tc)
最大功耗2W (Ta), 4.2W (Tc)

机械

Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)