SI2399DS-T1-BE3

Name: SI2399DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 5.1A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	835 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.1A (Ta), 6A (Tc)
最大功耗	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)