通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 3.2A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 8 V |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta), 4.4A (Tc) |
| 最大功耗 | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|