SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.7A, 10V
基础料号SI2371
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.8A (Tc)
最大功耗1W (Ta), 1.7W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)