SI2369BDS-T1-GE3

Name: SI2369BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 5A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	745 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET® Gen IV
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+16V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
最大功耗	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)