SI2366DS-T1-GE3

Name: SI2366DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 4.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	335 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
最大功耗	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)