SI2334DS-T1-GE3

Name: SI2334DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	44mOhm @ 4.2A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	634 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.9A (Tc)
最大功耗	1.3W (Ta), 1.7W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)