SI2333DDS-T1-GE3

Name: SI2333DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 5A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1275 pF @ 6 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
最大功耗	1.2W (Ta), 1.7W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)