SI2309DS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2309DS-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 1.25A, 10V
基础料号SI2309
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.25A (Ta)
最大功耗1.25W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)