SI2309CDS-T1-E3

Name: SI2309CDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	345mOhm @ 1.25A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 30 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
最大功耗	1W (Ta), 1.7W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)