SI2305ADS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-E3

模拟与电源

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740 pF @ 4 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

电气

漏源电压8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.4A (Tc)
最大功耗960mW (Ta), 1.7W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

环境

工作温度-50°C~150°C(TJ)