SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
基础料号SI2302
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tj)
最大功耗710mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)