SI1902DL-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI1902DL-T1-BE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

已停产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
基础料号SI1902
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态Last Time Buy
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C660mA (Ta)
Power - Max270mW (Ta)

机械

Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-70-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)