SI1489EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1489EDH-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363

停产/老旧6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 3A, 4.5V
基础料号SI1489
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA

电气

漏源电压8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
最大功耗2.8W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-70-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)