SI1480DH-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI1480DH-T1-BE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1.9A, 10V
基础料号SI1480
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds130 pF @ 50 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
最大功耗1.5W (Ta), 2.8W (Tc)

机械

Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-70-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)