SI1469DH-T1-E3

Name: SI1469DH-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 2A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A (Tc)
最大功耗	1.5W (Ta), 2.78W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)