SI1433DH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1433DH-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

停产/老旧6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 2.2A, 10V
基础料号SI1433
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 100µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.9A (Ta)
最大功耗950mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-70-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)