SI1317DL-T1-BE3

Name: SI1317DL-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3

在产SC-70, SOT-323模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 1.4A, 4.5V
基础料号	SI1317
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	272 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA

漏源电压	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
最大功耗	400mW (Ta), 500mW (Tc)

工作温度	-50°C~150°C(TJ)