SI1307DL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1307DL-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3

停产/老旧SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 1A, 4.5V
基础料号SI1307
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C850mA (Ta)
最大功耗290mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装SC-70-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)