SI1078X-T1-GE3

Name: SI1078X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	142mOhm @ 1A, 10V
基础料号	SI1078
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.02A (Tc)
最大功耗	240mW (Tc)

封装	Tape & Reel (TR)
Package / Case	SOT-563, SOT-666

工作温度	-55°C~150°C(TJ)