SI1071X-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1071X-T1-E3

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

停产/老旧SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs167mOhm @ 960mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds315 pF @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.45V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C960mA (Ta)
最大功耗236mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SC-89 (SOT-563F)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)