SI1069X-T1-E3

Name: SI1069X-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

停产/老旧SOT-563, SOT-666模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 940mA, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	308 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	970mA (Ta)
最大功耗	236mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)