SI1025X-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1025X-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V
基础料号SI1025
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 25V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA
Power - Max250mW

机械

Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SC-89 (SOT-563F)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)