SI1023X-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89

停产/老旧SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
基础料号SI1023
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C370mA
Power - Max250mW

机械

Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SC-89 (SOT-563F)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)