SI1012R-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1012R-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

停产/老旧SC-75, SOT-416模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
基础料号SI1012
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
最大功耗150mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-75, SOT-416
供应商器件封装SC-75A

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)