IRLL014

Vishay Siliconix

IRLL014

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1.6A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Tc)
最大功耗2W (Ta), 3.1W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)