IRLD024

Vishay Siliconix

IRLD024

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

停产/老旧4-DIP (0.300", 7.62mm)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1.5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
最大功耗1.3W (Ta)

机械

封装Tube
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商器件封装4-HVMDIP

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)