IRFR214PBF

Vishay Siliconix

IRFR214PBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 1.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 25W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)