IRFD9020

Vishay Siliconix

IRFD9020

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

停产/老旧4-DIP (0.300", 7.62mm)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 960mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
最大功耗1.3W (Ta)

机械

封装Tube
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商器件封装4-HVMDIP

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)