3N163-E3

Vishay Siliconix

3N163-E3

模拟与电源

MOSFET P-CH 40V 50MA TO72

停产/老旧TO-206AF, TO-72-4 Metal Can模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs250Ohm @ 100µA, 20V
基础料号3N163
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.5 pF @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50mA (Ta)
最大功耗375mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供应商器件封装TO-72

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)