通用
| 基础料号 | MBR3 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 190pF @ 4V, 1MHz |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | 停产/老旧 |
| 技术 | Schottky |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730 mV @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 600 µA @ 50 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
机械
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
|---|---|
| 供应商器件封装 | C-16 |
环境
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|