VS-1N3890

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-1N3890

Datasheet

模拟与电源

DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

在产DO-203AA, DO-4, Stud模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号1N3890
制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division
安装类型Chassis, Stud Mount
包装Bulk
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)300 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 12 A
Current - Average Rectified (Io)12A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 100 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
供应商器件封装DO-203AA (DO-4)

环境

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C