通用
| 基础料号 | V20120 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Tube |
| 产品状态 | 在产 |
| 系列 | TMBS® |
| 技术 | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20120S-E3/4W
Datasheet模拟与电源
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 120 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
机械
| Package / Case | TO-220-3 |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
环境
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|