G2SB80-M3/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

G2SB80-M3/45

模拟与电源

DIODE BRIDGE

停产/老旧4-SIP, GBL模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号G2SB80
Diode TypeSingle Phase
制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术Standard

电气

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 750 mA
Voltage - Peak Reverse (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-SIP, GBL
供应商器件封装GBL

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)