EGF1C-E3/67A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

EGF1C-E3/67A

Datasheet

模拟与电源

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

在产DO-214BA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号EGF1
Capacitance @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
系列SUPERECTIFIER®
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 150 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseDO-214BA
供应商器件封装DO-214BA (GF1)

环境

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C