通用
| 基础料号 | BYG10 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 产品状态 | 在产 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| 技术 | Avalanche |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG10Y-E3/TR
Datasheet模拟与电源
DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1600 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
机械
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
|---|---|
| 供应商器件封装 | DO-214AC (SMA) |
环境
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|