BU25H08-M3/P

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BU25H08-M3/P

Datasheet

模拟与电源

BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU

在产4-SIP, BU模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号BU25H08
Diode TypeSingle Phase
制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
系列isoCink+™
技术Standard

电气

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.05 V @ 12.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io)3.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 600 V

机械

Package / Case4-SIP, BU
供应商器件封装isoCINK+™ BU

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)