通用
| 基础料号 | 50MT060 |
|---|---|
| 配置 | Half Bridge |
| IGBT Type | PT |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 7.1 nF @ 30 V |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| 产品状态 | 停产/老旧 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 100A |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 114 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 400 µA |
| Power - Max | 658 W |
机械
| Package / Case | 12-MTP Module |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 12-MTP |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|