20ETF02

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

20ETF02

模拟与电源

DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC

停产/老旧TO-220-2模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号20ETF02
制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态停产/老旧
Reverse Recovery Time (trr)160 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 200 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseTO-220-2
供应商器件封装TO-220AC

环境

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 150°C