UJ3C120040K3S

UnitedSiC

UJ3C120040K3S

Datasheet

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 40A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
制造商UnitedSiC
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 10mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
最大功耗429W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)