UJ3C065080B3

Name: UJ3C065080B3
Brand: UnitedSiC

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 25A TO263

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	111mOhm @ 20A, 12V
基础料号	UJ3C065080
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 100 V
制造商	UnitedSiC
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)
最大功耗	115W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)