UF3SC065030D8S

UnitedSiC

UF3SC065030D8S

Datasheet

模拟与电源

SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

停产/老旧4-PowerTSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 20A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
制造商UnitedSiC
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 10mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
最大功耗179W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
供应商器件封装4-DFN (8x8)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)