UF3C120080B7S

Name: UF3C120080B7S
Brand: UnitedSiC

模拟与电源

SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 12V
基础料号	UF3C120080
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	754 pF @ 100 V
制造商	UnitedSiC
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA

漏源电压	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28.8A (Tc)
最大功耗	190W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)