UF3C065080B7S

Name: UF3C065080B7S
Brand: UnitedSiC

模拟与电源

SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 12V
基础料号	UF3C065080
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 100 V
制造商	UnitedSiC
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA

漏源电压	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Tc)
最大功耗	136.4W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)