TPH3208LDG

Transphorm

TPH3208LDG

模拟与电源

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

停产/老旧3-PowerDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 13A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 400 V
制造商Transphorm
安装类型Surface Mount
包装Tube
产品状态停产/老旧
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 300µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗96W (Tc)

机械

Package / Case3-PowerDFN
供应商器件封装3-PQFN (8x8)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)