TP65H480G4JSG-TR

Transphorm

TP65H480G4JSG-TR

Datasheet

模拟与电源

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

在产3-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 400 V
制造商Transphorm
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 500µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
最大功耗13.2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-SMD, Flat Lead
供应商器件封装3-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)