TP65H300G4LSG-TR

Name: TP65H300G4LSG-TR
Brand: Transphorm

模拟与电源

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

在产3-PowerDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	312mOhm @ 5A, 8V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
制造商	Transphorm
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	±18V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.5A (Tc)
最大功耗	21W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)